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高速读写且强悍耐用的完美组合
PCIe Gen3x4 + Micron 10K P/E cycle TLC
- 美光原厂颗粒 、大厂保证,狠甩次级与自封颗粒
- 最新纠错校正LDPC与RAID Engine ,永无资料遗失之隐忧
- 端到端数据路径保护 ,永保数据正确开机工作百分百
- mSMART 免费智能存储监控,预警告知上云端,全球管理没烦恼
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当PCIe遇上美光10K抹写3D TLC…
PCIe 高速写入,假设以一般基本的工控应用速度,写入速度每秒可达1300 MB/s 以上,理论值一天可写入约 2TB (1.872 TB),若以 256GB SSD 为例,
- 消费性 1.5K P/E =
256G x 1500 = 384TB ➔ 384/2 = 192 天 = 6.4 月 = 0.5 年
- 工控 3K P/E =
256G x 3000 = 768TB ➔ 768/2 = 384 天 = 12.8 月 = 1 年
- 敏博 10K P/E =
256 x 10000 = 2560TB ➔ 2560/2 = 1280 天 = 42.7 月 = 3.6 年
针对工控智能应用如监控、医疗、车载等,需要高速传输大量数据之应用,PCIe NVMe接口主控加上10K抹写周期的3D TLC成为最佳的解决方案。
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新一代纠错校正LDPC与RAID Engine提升TLC Flash可靠度
提高3倍使用寿命
比起现有的BCH ECC算法,最先进的LDPC(低密度奇偶修正码)拥有更高的解错效能,同时所使用的功率比BCH更低。透过LDPC新一代错误修正技术,将能为TLC NAND带来更高的错误校验能力,进一步提升数据稳定性及P/E Cycle,有效提升TLC SSD产品的使用寿命及可靠度。
首先,透过LDPC编码校正执行数据写入,接着透过LDPC硬译码、软译码来纠错,最终逐一启用RAID数据修复以读取数据。根据实验室测试证明,提高3倍使用寿命。 |
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端到端数据路径保护,大幅提升嵌入式储存的数据可靠性
检测和纠正可能发生在主机与NAND数组间的数据路径中的任何错误,藉此对SSD的SRAM、DRAM以及NAND闪存数组提供完整的ECC保护。
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mSMART智能储存监控软件,自我检测、问题诊断好帮手 |
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