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为了追求高效能、大容量、耐用与稳定,并加速5G驱动智能物联(AIoT)与边缘运算储存应用落地,敏博持续发展耐用稳定之工规DRAM模块与SSD固态硬盘产品,在三月份【上海机器视觉展】火热推荐 DDR4-3200记忆体系列、一万次超长抹写周期TLC SSD实现断电保护与数据加密,以及NVM接口之U.2与M.2 2280 PCIe工规宽温存储SSD。敏博采用原厂优质颗粒、通过严谨测试,并开发储存装置智能监控管理软件,在5G、边缘计算、人工智能、深度学习、嵌入式视觉系统与机器视觉的融合的创新发展中,提供高速且耐用的储存方案。
 
     
 
8G/16G/32G DDR4-3200 模块
  • 规格包括SODIMM与ECC SODIMM
  • 数据传输速率3200MT/s
  • 速率可以向下兼容于2666和2400MT/s
  • 容量8G/16G/32G
  • JEDEC规范电压1.2V±0.06V
  • 支持内部自动更新(auto refresh)与自主更新 (self-reflash)
  • 工作温度包含标准常温、延伸温度与工业宽温
  • 获国际级5G信息设备大厂认可采用
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    断电保护、加密TLC SSD
  • 工业用SATA III固态硬盘,有DRAM缓存
  • 工业用万次抹写3D TLC
  • 全程高速写入效能不掉速
  • 储存容量为128G~2TB
  • Power Plus技术提供断电数据保护机制
  • 亦可选配AES 256位加密功能
  • 包含一般工作温度、类宽温与工规宽温产品
  • 内建LDPC ECC、RAID与过电流/过电压保护
  • mSMART 储存装置智能监控
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    工规高速PCIe SSD
  • 规格包括2.5吋 U.2与M.2 2280
  • PCIe Gen3x4 支持NVMe 1.3标准
  • 工业级3D TLC,抹写周期高达10,000次
  • 包含一般工作温度、类宽温与工规宽温产品
  • LDPC ECC 纠错强化数据完整性
  • 端对端数据路径保护增强数据正确性
  • 支持SLC Cache,提高动态写入性能
  • 亦可选配AES 256位加密功能
  • 内建过电流过电压保护
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      产业动态回顾  
      2020年全球疫情驱动宅经济增长,在线会议、在线视频、在线教育等让笔记本出货量持续增长,同时互联网企业数据中心系统对存储性能和容量的需求也在不断增加。受到新冠病毒影响的这一年中,根据IC Insights的研究 ,IC行业一直是最具韧性的市场之一。尽管在2020年造成了严重的全球衰退,但Covid-19大流行刺激了全球数字化转型的加速,导致33种IC产品类别中的21种得以幸存,甚至兴旺发展,并实现了正增长,其中 DRAM 及 NAND Flash 将是其中成长最大的产品。去年第四季以来,半导体产业陆续传出部分芯片开始缺货,电源管理 IC、CPU、驱动 IC 等首当其冲,今年第一季半导体缺货潮更全面引爆,延烧至 MCU、分离式半导体、MOSFET、PCB 等。  
     
     Sorce: IC Insights Ranking apply to IC product categories with more than $100M in annual sales. 
     
         
         
      近期内存/储存芯片大厂概况  
     
    三星位于美国得州奥斯汀的晶圆厂(S2)此前因暴风雪停电、停水而持续关闭中。据三星对客户发出的信函表示,该厂负责生产的NAND Flash控制IC在4月产出量超九成受影响,自5月起才会逐步恢复。
    铠侠及威腾共同宣布完成第六代162层的3D NAND的BiCS6技术开发,也使每片晶圆可生产晶粒数增加70%。同时,铠侠宣布将在日本三重县扩建Fab 7新厂及在日本岩手县扩建K2新厂,准备工作在2021年春天开始,预计2022年上半年投产。
    SK海力士获美国核准以90亿美元收购英特尔(Intel)的NAND与储存芯片部门,为其强化记忆芯片市场地位,跨前关键的一步。
    美光以亚洲作为其NAND Flash内存发展策略中心,176 层 3D NAND 闪存目前已去年底开始于美光新加坡晶圆厂量产,为数据中心SSD的关键设计标准,可以加速数据密集环境和工作负载。
    英特尔将NAND业务出售给 SK 海力士,日前获美国审查通过,英特尔将继续保留基于3D Xpiont 技术之Optane 业务。
     
         
      内存/储存行情概况  
     
    内存市场涨势不减,PC DRAM平均销售价格每季度预测调升+ 19-20%,服务器DRAM预计第二季落在PC DRAM之后,平均销售价格增长14-15%,对于内存市场来讲,整体供不应求态势持续,2月份原厂涨势强劲, DDR3大缺货,DDR4采配额销售(allocation),3月21日的平均销售价格急剧上升,由于需求强劲,买家试图增加拉货力道,使价格在Q2急剧上升之前提前又拉抬增加。强烈需求与未预期订单给与供货商信心,预期DRAM的价格将持续看涨。
    SSD市场买卖双方陷入“僵持”,Q1行情平稳,Q2 则因产品需求的驱动力未减,像是持续的移动/嵌入式需求导致混合供应挑战,消费性产品买家持续下单,企业与大型数据中心买家的买气复苏,加上64层/96层的供应减少,制程转到1xx层,但1xx层要得到市场完全认可还有一些时间差,加上三星奥斯汀NAND在四五月的供货短缺影响,预期NAND Flash Q2的平均销售价格有上扬之兆,估计约在5-10%。
      以上信息来源:Edgewater Research三月相关报告综合整理摘要
     
         
         
      DRAM/SSD在不同品项行情差异预估  
     
    Price Projections of Different Categories of DRAM Products, 1Q21-2Q21
    Source: TrendForce, Mar. 2021  
     
    Forecasted QoQ Increases in Client SSD and Enterprise SSD Prices, 1Q21-2Q21
    Source: TrendForce, Mar. 2021    
     
         
         
      
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