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  儲存技術創新發展  
 
三星
  • 預計自2021年開始量產第4代10納米級的DDR5和LPDDR5
  • 預計於2021年底量產14奈米EUV DRAM與176層堆疊 NAND Flash
  • 六月九日表示加速生產200層或更多層數堆疊的V-NAND Flash 產能投入新製程
海力士
  • 韓國SK海力士已經在2020年的10月6日首次公開發表DDR5 DRAM
  • 年初SK海力士收購英特爾的NAND存儲器和存儲業務
  • 預計於2021下半年量產14奈米EUV DRAM，2021年底量產176層堆疊NAND Flash
美光
  • 美光在2020年宣布出樣以第3代10納米級1z納米製程打造的最新DDR5 DRAM，今年初送樣DDR5 RDIMM
  • 2021年六月初，美光在 COMPUTEX 2021 發表 1α 製程 DRAM (13-14奈米DUVDRAM)與176 層堆疊 NAND Flash進入量產階段
鎧俠
  • Kioxia/Western Digital 發表BiCS 6 162層 3D NAND，有別之前自己宣布開發的176層產品技術
 
     
  2021年第三季儲存市場持續增溫  
 

IC Insights 所發布的 McClean 最新調查報告指出，2021 年的記憶體晶片市場預估成長 32%。其中，DRAM 市場的銷額預估年增 41%，NAND 快閃記憶體的銷額預估年增 22%。

目前原廠競相投入新製程展現創新實力，而第三季預期在雲端服務商的資料中心建置、企業上雲加速、自駕車的路側伺服器，以及工業4.0等技術發展下，各大廠將持續提升伺服器採購力道。

由於供應狀況依然緊繃， IC Insights 估計 DRAM 每一位元組的平均單價、在今 (2021) 年下半年仍然看漲。此外，NAND 每一位元組的平均單價、在 2020 年第一季到 2021 年第一季之間下滑了 26%，不過價格也在 2021 年第二季趨穩，也預估在今年剩餘的兩個季度、行情應該會出現上揚。

 
 
伺服器：
TrendForce 指出，伺服器採購需求持續成長，加上 DRAM 產能仍無法滿足市場需求，預估第三季伺服器 DRAM 價格將調漲 3-8%，Enterprise SSD 採購量也將大幅成長，第三季 NAND Flash 漲價幅度估達 1 成。受到英特爾與超微平台導入品牌廠時程略為放緩，以及中國新基建部分項目推遲影響，第二季整體伺服器出貨量季增率將由原先預測的 19.6%，下修至 17.7%，但遞延訂單仍可望推升今年下半年出貨表現。
手機：
智慧型手機在印度生產， 受當地疫情嚴重衝擊，使品牌廠下修生產數量，相關生產備料因而降低。因此，伺服器所需關鍵零組件從第二季起將可滿足生產需求，長短料問題逐漸解決中。整體而言， TrendForce預期下半年中國智慧型手機品牌廠將放緩行動式DRAM與NAND Flash的採購，但其他終端應用需求依舊強勁，故整體記憶體合約價格仍不易下跌。
消費終端：
今年筆電需求持續暢旺，預期生產台數年增14.3％上看2.38億台。第三季整體 NAND Flash 供應市況將隨著消費電子產品生產旺季到來，面臨供應吃緊，持續受限於控制IC缺貨，庫存量低於DRAM，平均庫存達4～5周，預測價格將會出現近 10% 漲幅。
汽車與嵌入式系統：
5G、WiFi6 、物聯網、人工智能等創新技術發展，應用於智慧車載、無人運輸載具、邊緣運算平台、智慧城市建設、智慧醫療、智慧工廠等領域需求持續升溫，對於可以穩定供貨的DRAM與NAND Flash的使用殷切，並且有特殊環境應用與資料安全的需求，產品少量多樣，追求耐久可靠，在供應鏈的漲幅上，陷入零組件供貨不穩漲價困擾，反應出的漲幅將比消費產品更加明顯。
 
     
 
2021 Q3 DRAM & NAND Flash 價格走勢

季度\產品別

DRAM NAND Flash

2021 Q2

Up 18~23% Up 5~10%

2021 Q3

Up 3~8% Up 5~10%
Source: TrendForce
 
     
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